專注於(yú)膠粘劑的研發製造
IGBT模塊的性能和可靠性在很大程度上取決於其封裝材料,尤其(qí)隨著半(bàn)導體材料技術的突破,對功率器件電壓和頻率提出了更高的要求。更高電壓和更快開(kāi)關頻(pín)率(lǜ)導致器件在工(gōng)作過(guò)程中產生大量的熱量,熱量作為副產物會(huì)嚴重影響封裝材料的絕緣性能。
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